SJT 10061-1991 电子元器件详细规范 2CV3A,2CV3B和2CV3G型硅肖特基势垒混频二极管
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ID： |
8B92D7A7992645B58184F79BFCD36188 |
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文件大小(MB)： |
0.13 |
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9 |
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文件格式： |
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日期： |
2009-6-11 |
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rJ,中华人民共和国电子工业行业标准,sJ/T 10061-91,电 子 元 器件详细规范,2CV3A、2CV3G和2CV3G型,硅 肖特基势垒混频二极管,1991一04-08发布1991一07-01实施,中华人民共和国机械电子工业部发布,中华人民共和国电子工业行业标准,电 子 元 器件详细规范,2CV3A,2CV3B和2Cv3G型,硅肖特基势垒混频二极管SJ/T 10061-91,Detail specification for electronic components,Si licon schottky barrierm ixerd iodes,fo rt ypes2 CV3A,2CV3B and 2CV3G,本 标准 适用于2CV3型硅肖特基势垒混顿二极管，它符合GB 4589.1 《半导体器件分立器,件和集成电路总规范》和GB 12560《半导体器件分立器件分规范》的1类要求,中华人民共和国机械电子工业部1991-04-08批准1991-07-01实施,— 1 一,SJ/T 10061-91,中华人民共和国机械电子工业部,评定器件质t的根据:,GB4 589.1( 半导体器件分立器件和集成电路总规范》,GB 12560(半导体器件分立器件分规范》,SJ/T 10061-91,2CV 3A, ZCV 3B和2CV3G型硅肖特签势垒混颇二极管详细规范,订货资料:见本规范第7章,机械说明2 筒略说明,外形标准:符合S1 2005,《微波二极管外形尺寸》中,W-05型,外形图,肖特基势垒混频二极管,半导体材料:硅,封装:金属— 陶瓷(空腔),应用在X波段苗达通讯接收机和电子仪器,中做 混 频 和 检波用,3 质f评定类别,卫类,参考数据,F<7.OdB(2CV3A,2CV3G),F<6. OdB(2CV3B),Za=150^450n,尺寸单位:mm,一2 一,SJ/T 10061-91,4 极限值(绝对最大颇定值),除 非 另 有规定，这些极限值在整个工作温度范围内适用,条文号参数名称符号,数值,单位,最小值最大值,4.1,4.2,4.3,4.4,4.5,工作环境温度,贮存温度,反向直流电压,射颇脉冲功率,(重 复频率1kHz,脉冲 宽度0.2I .s,烧 毁时间5s),单脉冲过载能t,T.mb,T.,F.,Pn,EP,-55 15 0,15 0,3,2,5X10',℃,℃,V,W,1,5 电特性(对检验要求见本规范的第8章),条文号,特 性 和 条件,(见总规范的第4章),T. . b= 25C,符号,数值,单位,试验,组另明,最小值最大值,5.1,5.2,5.3,5.4,5.5,5.6,5.7,5.16,5.19,5.20,正向电压IFi=O. 3.A,正向电压IF2-1.A,正向电压差值(VF2-VFI),反向电流VR=2V,反向电流VR=2V,T .m b= 1 0 0' C,中频阻抗几=9375MHz,尸 = 1 m W,电压驻波比f.=9375MHz,尸 = 1 m w,整机噪声系数f.=9375MHz,尸 = 1 m W,fl‘ 二 30 M Hz,Fi m= 1. 5 d B,2C V 3 A ,2 C V 3 G,2C V 3 B,总电容,封装电容,引线电感”,V F1,V F2,△V F,IR I,IR 2,Z if,V SW R,F,C tot,CP,L ,130,0.,1.,29 0,34 0,50,30,10 0,45 0,11 6,7. 0,6. 0,0. 7 0,27,0,mV,mV,mV,pA,朴A,口,dB,dB,pF,pF,nH,Alb,A 3,Alb,C2b,A 3,A 3,A 2b,A 3,注:1)典型值.不作检验用.,6 标志,6.， 器件上的标志,6.1.1 完整的器件型号,一3 一,SJ/T 10061-91,6.1.2 质量评定类别标记(应放在型号后面，如2CV3B I),6.1.3 检验批识别代码,6.2 包装箱上的标志,6.2.1 重复器件上的标志,6.2.2 标上“怕湿”等字样,6.2.3 制造厂商标,订货资料,订 货 单 上应有下列资料:,了1 准确的型号,了.2 订货数量,了.3 本规范编号,7.4 对器件的其它要求,试验条件和检验要求,8.1 在本章中，除非另有规定，引用的条文号对应于GB4 589.1 的条文号;测试方法引自GB,6570a微波二极管测试方法》,8.2 器件构成A组、B组检验批的时间可以为一个月,试 验 条 件和检验要求见下表,A 组 — 逐 批,全 部 试 验都是非破坏性(3.6.6),检验或试验引用标准,条 件[,(见总规范的第4章， },检验要求,一单一 LT P D,最小值最大值一,A1分组,外 部检验4.2.1.1,5,A2a分组,不工作器件,GB 6570,3.3. 1,GB 6570.4.1.2,1 = 0. 3-A,Y.1 = 2V,极性颜倒;,m V,拜A,0.7,Frl,lo,卜,或Y},>2 900,Ia, > 1000,A2b分组,F,I ,Yr,GB 6570,4.6,GB 6570,4.1.2,G B 6570,3.3.1,几=9375MHz,P=1mW,fB= 30M Hz,P . .=1.5 dB,2CV3A,2CV3G,2C V 3B,Va - 2V,/F1=0. 3-A 一、一dR I dB,I pA,}mV一,一4 一,SJ/T 10061-91,续表,检脸或试验引用标准,条 件,T. m 6= 25'C,(见总规范的第4章),检验要求,数值,单位LTPD……
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